Ogłoszenie o wykonaniu umowy
Dostawy
Dostawa wertykalnych tranzystorów typu Trench MOSFET w technologii GaN-on-GaN.

SEKCJA I - ZAMAWIAJĄCY

1.1.) Nazwa zamawiającego: INSTYTUT WYSOKICH CIŚNIEŃ POLSKIEJ AKADEMII NAUK

1.3.) Krajowy Numer Identyfikacyjny: REGON 015825134

1.4) Adres zamawiającego

1.4.1.) Ulica: ul. Sokołowska 29/37

1.4.2.) Miejscowość: Warszawa

1.4.3.) Kod pocztowy: 01-142

1.4.4.) Województwo: mazowieckie

1.4.5.) Kraj: Polska

1.4.6.) Lokalizacja NUTS 3: PL911 - Miasto Warszawa

1.4.9.) Adres poczty elektronicznej: dzp@unipress.waw.pl

1.4.10.) Adres strony internetowej zamawiającego: unipress.waw.pl

1.5.) Rodzaj zamawiającego: Zamawiający publiczny - jednostka sektora finansów publicznych - Polska Akademia Nauk i tworzone przez nią jednostki organizacyjne

SEKCJA II – INFORMACJE PODSTAWOWE

2.1.) Identyfikator postępowania: ocds-148610-4a576558-56cd-11ee-a60c-9ec5599dddc1

2.2.) Numer ogłoszenia: 2025/BZP 00274645

2.3.) Wersja ogłoszenia: 01

2.4.) Data ogłoszenia: 2025-06-12

SEKCJA III – PODSTAWOWE INFORMACJE O POSTĘPOWANIU W WYNIKU KTÓREGO ZOSTAŁA ZAWARTA UMOWA

3.1.) Charakter zamówienia:

Zamówienie klasyczne - wartości równej lub przekraczającej progi unijne

3.2.) Zamówienie było poprzedzone ogłoszeniem o zamówieniu albo ogłoszeniem o zamiarze zawarcia umowy w BZP lub Dz. Urz. UE: Tak

3.2.1.) Numer ogłoszenia w BZP lub Dz. Urz. UE: 2023/S 180-563632

3.3.) Czy zamówienie dotyczy projektu lub programu współfinansowanego ze środków Unii Europejskiej:

Tak

3.4.) Nazwa projektu lub programu:

Umowa nr 101007310 z ECSEL Joint Undertaking (JU)

3.5.) Tryb udzielenia zamówienia wraz z podstawą prawną:

Zamówienie udzielane jest w trybie zamówienia z wolnej ręki na podstawie: art. 214 ust. 1 pkt 6 ustawy

3.6.) Rodzaj zamówienia:

Dostawy

3.7.) Nazwa zamówienia:

Dostawa wertykalnych tranzystorów typu Trench MOSFET w technologii GaN-on-GaN.

3.8.) Krótki opis przedmiotu zamówienia:

Przedmiotem zamówienia są wertykalne tranzystory typu Trench MOSFET w technologii GaN-on-GaN. Tranzystory muszą spełniać następujące parametry:

- tranzystory (40 sztuk):

• typu Trench MOSFET

• rozmiar 3 mm x 3 mm

• w technologii GaN-on-GaN, czyli na podłożu z azotku galu (GaN)

• otrzymane metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (z ang. metaloorganic vapor phase epitaxy; MOVPE)

• zaprojektowane na następujące parametry: napięcie blokujące (blocking voltage) 650 V, prąd w stanie włączenia (on-state current) 150 A

• zapakowane

- tranzystory (80 sztuk):

• typu Trench MOSFET

• rozmiar 3 mm x 3 mm

• w technologii GaN-on-GaN, czyli na podłożu z azotku galu (GaN)

• otrzymane metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (z ang. metaloorganic vapor phase epitaxy; MOVPE)

• zaprojektowane na następujące parametry: napięcie blokujące (blocking voltage) 1200 V, prąd w stanie włączenia (on-state current) 150 A

• zapakowane

3.9.) Główny kod CPV: 31712350-8 - Tranzystory

SEKCJA IV – PODSTAWOWE INFORMACJE O ZAWARTEJ UMOWIE

4.1.) Data zawarcia umowy: 2024-02-12

4.2.) Okres realizacji zamówienia:

4.3.) Dane wykonawcy, z którym zawarto umowę:

4.3.1.) Nazwa (firma) wykonawcy, któremu udzielono zamówienia (w przypadku wykonawców ubiegających się wspólnie o udzielenie zamówienia – dotyczy pełnomocnika, o którym mowa w art. 58 ust. 2 ustawy): Ferdinand-Braun-Institut gGmbH Leibniz-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik

4.3.2.) Krajowy Numer Identyfikacyjny: DE 136 629 878

4.3.3.) Ulica: Gustav-Kirchhoff-Straße 4

4.3.4.) Miejscowość: Berlin

4.3.5.) Kod pocztowy: 12489

4.3.7.) Kraj: Niemcy

4.4.) Wartość umowy: 418000 EUR

4.5.) Numer ogłoszenia o wyniku postępowania zamieszczonego w BZP lub numer ogłoszenia o udzieleniu zamówienia opublikowanego w Dzienniku Urzędowym Unii Europejskiej: 2024/S 33-96256

SEKCJA V PRZEBIEG REALIZACJI UMOWY

5.1.) Czy umowa została wykonana: Tak

5.2.) Termin wykonania umowy: 2025-05-19

5.3.) Czy umowę wykonano w pierwotnie określonym terminie: Nie

5.4.) Informacje o zmianach umowy

5.4.1.) Liczba zmian: 1

5.4.2.) Numer zmiany: 1

5.4.3.) Podstawa prawna zmiany:

art. 455 ust. 1 pkt 1 ustawy

5.4.4.) Przyczyny dokonania zmian:

Zważywszy, że nastąpiły nieprzewidziane i mające istotny wpływ na termin wykonania Umowy następujące sytuacje:
1) Urządzenie do osadzania warstw atomowych (ALD) było wyłączone z powodu nieoczekiwanego wyczerpania prekursora hafnu. Czas oczekiwania na dostawę nowego prekursora wyniósł 12 tygodni, co spowodowało, że proces wytwarzania urządzenia GaN4AP musiał zostać wstrzymany od 4 listopada 2024r., zanim możliwe było osadzenie izolatora bramki przy użyciu ALD – przewidywany termin uruchomienia 3 lutego 2025.
2) System transportu wafli w urządzeniu sputter, służącym do osadzania warstwy pod metalizację bramki (w technologii galwanicznej), uległ awarii, co unieruchomiło urządzenie na ponad 3 miesiące. Wykonawcy udało się jednak zakwalifikować drugie urządzenie sputter do tego procesu jako rozwiązanie zastępcze;
Strony zgodnie postanawiają w oparciu o art. 455 ust.1 pkt. 1 Ustawy Prawo zamówień publicznych dokonać zmiany §4 ust. 1 Umowy.

5.4.5.) Krótki opis zamówienia po zmianie:

§4 ust. 1 otrzymuje następujące brzmienie:
„Wykonawca zobowiązuje się dostarczyć Przedmiot umowy do siedziby Zamawiającego w nieprzekraczalnym terminie 31.05.2025r.”
§2
Pozostałe postanowienia Umowy nie ulegają zmianie.

5.4.8.) Wzrost ceny w związku ze zmianą umowy/umowy ramowej: Nie

5.5.) Łączna wartość wynagrodzenia wypłacona z tytułu zrealizowanej umowy: 418000 EUR

5.6.) Czy umowa została wykonana należycie: Tak

5.7.) Podczas realizacji zamówienia zamawiający kontrolował przewidziane w zawartej umowie wymagania:

nie dotyczy